Вплив технологічних чинників на якість приладових структур

Алексієвський, Д.; Ніконова, А.; Небеснюк, О.; Ніконова, З.

Головна сторінка IRChNUT
→
ПЕРІОДИЧНІ ВИДАННЯ НУ «Чернігівська політехніка»
→
Технічні науки та технології: науковий журнал
→
2024
→
Технічні науки та технології. – 2024. – №1 (35)
→
Перегляд матеріалів

dc.contributor.author	Небеснюк, О.
dc.contributor.author	Ніконова, А.
dc.contributor.author	Алексієвський, Д.
dc.contributor.author	Ніконова, З.
dc.date.accessioned	2024-05-20T08:56:29Z
dc.date.available	2024-05-20T08:56:29Z
dc.date.issued	2024
dc.identifier.uri	https://ir.stu.cn.ua/123456789/30134
dc.description	Вплив технологічних чинників на якість приладових структур / О. Небеснюк, А. Ніконова, Д. Алексієвський, З. Ніконова // Технічні науки та технології. - 2024. - № 1 (35). - С. 75-80.	uk_UA
dc.description.abstract	Застосування методу інтерферометрії дало можливість суттєво доповнити та уточнити інформацію про морфологію, характер дефектів нарощених шарів епітаксійних композицій (ЕК), виявлених методами вибіркового травлення за допомогою металографічного мікроскопа. Порівняльним дослідженням ступеня дефектності пластин після кожного з етапів їх виготовлення встановлено, при яких операціях технологічного процесу утворюються конкретні види дефектів. Запропоновано методику отримання якісних напівпровідникових приладів та інтегральних схем на основі різних видів ЕК з високим питомим опором робочого шару.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Чернігів : НУ "Чернігівська політехніка"	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	Технічні науки та технології;№ 1 (35)
dc.subject	epitaxial compositions	uk_UA
dc.subject	semiconductor devices	uk_UA
dc.subject	dislocation-free silicon	uk_UA
dc.subject	defects	uk_UA
dc.subject	annealing	uk_UA
dc.subject	plate	uk_UA
dc.subject	епітаксійні композиції	uk_UA
dc.subject	напівпровідникові прилади	uk_UA
dc.subject	бездислокаційний кремній	uk_UA
dc.subject	дефекти	uk_UA
dc.subject	відпал	uk_UA
dc.subject	пластина	uk_UA
dc.title	Вплив технологічних чинників на якість приладових структур	uk_UA
dc.title.alternative	The influence of technological factors on quality of instrument structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.description.abstractalt1	In the modern production of semiconductor devices and integrated circuits, epitaxial compositions are widely used: silicon single-layer epitaxial structures, silicon inverted epitaxial structures and silicon structures with dielectric insulation. An urgent task is a thorough study of the defects of such structures and technological factors that significantly affect their quality at various stages of the manufacturing process. The purpose of the work is to study the dependence of the density of defects in the substrate and the built-up layer of silicon epitaxial compositions on technological factors and to develop a system that has increased resistance to electromigration and at the same time prevents erosion of silicon in the contact windows. Substrates with a thickness of 260 μm with a crystallographic surface orientation made of single crystals of dislocationfree silicon with a resistivity of 10-50 Оm∙m were taken for the study. Defects in the structure were detected by selective etching and investigated using metallographic and scanning electron microscopes. Processing of the working side of the surface was also carried out: chemical-mechanical polishing with removal of a layer 1-2 microns and 20 microns thick; mechanical polishing with diamond paste with a grain size of 1.0 μm and 5 μm. The processing of the non-working side of the substrates was also different: chemical-mechanical polishing, grinding, hetering - grinding with a free abrasive followed by shallow mechanical polishing. After growth, the epitaxial compositions were polished and grinded by chemical-mechanical polishing on both sides to a thickness of 80 μm on the substrate side and 170-180 μm on the side of the built-up layer. During research, the substrates were exposed to various technological factors. The obtained experimental results allow us to conclude that to produce semiconductor device structures based on epitaxial compositions with a low density of dislocations, it is necessary to use dislocation-free substrates that do not contain bands of A-type microdefects. All other things being equal, the best quality of epitaxial compositions is achieved by applying thorough chemical-mechanical polishing of the substrate on its working side and heterogenization on the reverse side.	uk_UA